プレスリリース

東京大学との共同研究「ReRAM CiMの多値記憶による大容量化と10年記憶の両立」に関して

2025年9月12日

ヌヴォトン テクノロジーは、東京大学と低電力エッジAI半導体の実現に向けた共同研究に取り組んでいます。このたび東京大学では、ReRAM（抵抗変化型）で構成されるCiM（Computation-in-Memory）を多値記憶によりメモリ容量を増加しつつ、10年記憶を両立することに成功しました。

従来のコンピュータではデータ処理を行うプロセッサとデータを記憶するメモリ間のデータ移動に伴う電力消費が課題となっていました。ReRAM CiMは、アナログReRAM（抵抗変化型メモリ）で構成されるため、データ処理と記憶を一体化することで、電力消費を大幅に抑え、課題解決に期待されています。

本件に関する詳細は、東京大学のプレスリリースをご覧ください。

https://www.t.u-tokyo.ac.jp/press/pr2025-09-11-002

今後も、低電力エッジAI半導体技術向上のため、継続的に研究・開発を進め、AI分野の発展に貢献します。

※本研究は国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）の助成業務（JPNP23015）の支援により実施されました。